Definición


El diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente a través de él en un solo sentido.

Se establece un convención se sentido de orientación donde el lado p esta en el ánodo y el lado n esta en el cátodo.

Corriente


Comparemos la corriente que fluye por un diodo real en comparación al diodo ideal, dándonos la curva característica

Al medir la características de la corriente-tensión de un diodo real se observa que es necesario introducir factores empíricos en la ecuación teórica para que la misma ajuste correctamente la curva experimental

En la figura se puede ver como afectan a la características del diodo las diferentes no idealidades

Polarización directa


Corriente de Recombinación

En la directa débil (es decir entre y que es potencial térmico), la corriente (ideal) es muy baja, por lo que cualquier aporte de carga que atraviesa la juntura de manera ideal.

En directa, la concentración de portadores en la SCR aumenta respecto de equilibrio térmico por lo que la recombinación supera a la generación.

Si un par de portadores se recombina, no están disponible para formar parte de la corriente ideal, entonces se debe compensar esa pérdida de portadores a través de una nueva componente de corriente, una corriente de recombinación.

La corriente de recombinación suele ser mucho mayor a la corriente ideal para tensiones bajas ()

donde es proporcional a , es el tiempo medio de recombinación, y por ser proporcional con depende fuertemente de la Temperatura

La juntura no es abrupta, cuasi-equilibrio y alto nivel de inyección

Al plantear la aproximación de vaciamiento, planteamos que la juntura es abrupta. Sin embargo esto no puede lograrse en la fabricación real del dispositivo y existe una zona de transición entre la región dopante tipo P y la tipo N

Al seguir aumentando la corriente del diodo, otras hipótesis comienzan a perder validez

  • La corriente que atraviesa la SCR puede ser comparable con la corriente de equilibrio Deja de ser válida la aproximación de cuasi-equilibrio La concentración de minoritarios en el borde de la SCR ya no responde a la relación de Boltzmann.
  • Los minoritarios en el borde de la SCR aumentan considerablemente Ya no es válida la hipótesis de bajo nivel de inyección

Normalmente se modela (el coeficiente de emisión) con un único valor constante, sin embargo, se observa que una mejor forma de modelar los efectos mencionados es utilizar distintos valores de según el rango de corrientes.

Cuasi neutralidad

El semiconductor presenta una resistividad () que depende del nivel de Dopaje

Se incrementa la corriente hay caída de Tensión en las QNR la tensión aplicada en los terminales del diodo difiere de la diferencia de potencial en los bordes de la SCR

Los contactos metal-semiconductor también presentan un efecto resistivo adicional.

Ambos fenómenos suelen modelarse considerando una resistencia () conectada en serie con el diodo, por lo que

Polarización inversa


Corriente de generación

En inversa, la corriente (ideal) es menor a la corriente de saturación inversa ()

Al igual que en directa, cualquier aporte de carga adicional a la estructura, será comparable o superior a la carga que atraviesa la juntura de manera ideal.

En inversa, la concentración de portadores en la SCR disminuye respecto del equilibrio térmico la generación supera a la recombinación

Si se genera un par de portadores, son separados por el Campo eléctrico esos nuevos portadores son arrastrados en dirección opuesta forman parte de un nuevo componente de corriente: Corriente de generación

En inversa, la corriente de generación suele ser mucho mayor a la corriente ideal ()

donde es proporcional a , es el tiempo medio de generación, y por ser proporcional con depende fuertemente de la Temperatura.

Efecto de ruptura de la juntura

Al polarizar el diodo en inversa

Existen dos fenómenos físicos asociados con la ruptura en inversa de la juntura, son:

El diodo Zener es un ejemplo de aplicación de la ruptura inversa