Transistor de potencia

Definición

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Se diseñan y fabrican para

• Soportar corrientes y/o tensiones elevadas
• Favorecen la disipación de calor
• Poseer resistencia de encendido baja
• Poseer resistencia de apagado muy alta
• Conmutar rápidamente

Tenemos

• Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de potencia
• TBJ de potencia

Para evitar la aparición de puntos calientes (hot-spots) se usan diseños interdigitados (finger interleaving), donde se busca disminuir la densidad de corriente.

Principios básicos de funcionamiento

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• En un TBJ, se controla con
• En un MOSFET, se controla con

Los objetos son: asilar la malla de control de la malla de salida, y con una potencia se controlar otra mucho mayor

Características de un dispositivo ideal

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• Alta densidad de corriente (en conducción)
• Bloqueo de alta tensión o (en apagado)
• Bajo tiempos de conmutación ,
• Que soporte grandes y

Velocidad de conmutación

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En el TBJ las capacidades son mayores que en el MOSFET, entonces el TBJ es más lento que el MOSFET

Resistencia de paso o de encendido

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En el TBJ la corriente circula a través del área del Emisor. En el MOSFET la circulación de corriente es en superficie. Entonces el TBJ tiene menor resistencia de paso (maneja corrientes mayores) que el MOSFET.

Comparación aproximada

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Es una aproximación de las características

| Parámetros | MOSFET | TBJ | | ------------------------------------------------------ | ---------------------------------------------------------------------------- | -------------------------------------------- | | Impedancia de entrada | Alta | Media | | Ganancia en corriente | Alta | Media | | Resistencia ON (conducción) | Media / Alta | Baja | | Resistencia OFF (corte) | Alta | Alta | | Voltaje / máx. aplicable | Alto | Alto | | Máxima temperatura | Alta | Media | | Frecuencia de trabajo | Alta | Baja | | Costo | Alto | Medio |