Definición


Dada una Estructura MOS polarizada, sabemos que en Flatband al distribución de portadores mayoritarios en el SC es uniforme e igual al Dopaje.

A un lado de Flatband () “se quitan” mayoritarios generando la SCR (Régimen de vaciamiento).

Al otro lado de Flatband () “se inyectan” mayoritarios generando un exceso (acumulación) en la interfaz /.

La carga acumulada es del mismo tipo que el Dopaje (positivo para aceptores, negativa para donores).

La estructura se comporta como un capacitor de placas planas paralelas. Por lo que

  • Carga de acumulación
  • Carga en el gate
  • Extensión de la SCR
  • Caída de tensión en el óxido

Concentraciones de los portadores


Densidad de carga espacial


Campo eléctrico


Función potencial