Definición
Teniendo una estructura MOS al aplicarle una Tensión, la electrostática del MOS se ve afectada, entonces la diferencia de potencial a lo largo de la estructura ahora es distinta de
La diferencia de potencial se manifiesta a lo largo del óxido y de la región SCR (zona desierta). El óxido es un aislante, entonces no hay corriente en la estructura. En la SCR, prevalece una situación de equilibrio. Produciendo un nuevo balance entre la corriente de arrastre y difusión.
- La Electrostática es cualitativamente idéntica que sin polarización (pero la cantidad de carga distribuida es diferente)
Regiones de operación
Tomando que el Semiconductor es de tipo p y un metal de polysilicio de tipo n, se definen 3 regiones de operación
Acumulación
Definición
Dada una Estructura MOS polarizada, sabemos que en Flatband al distribución de portadores mayoritarios en el SC es uniforme e igual al Dopaje.
A un lado de Flatband (
) “se quitan” mayoritarios generando la SCR (Régimen de vaciamiento). Al otro lado de Flatband (
) “se inyectan” mayoritarios generando un exceso (acumulación) en la interfaz / . La carga acumulada es del mismo tipo que el Dopaje (positivo para aceptores, negativa para donores).
La estructura se comporta como un capacitor de placas planas paralelas. Por lo que
- Carga de acumulación
- Carga en el gate
- Extensión de la SCR
- Caída de tensión en el bulk
- Caída de tensión en el óxido
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Vaciamiento
Definición
Dada una Estructura MOS polarizada:
- Para
la fuente mueve huecos desde el sustrato hacia el gate, entonces la región de vaciamiento crece. - Para
la fuente mueve huecos desde el gate hacia el sustrato entonces la región de vaciamiento se contrae. En el régimen de vaciamiento son validos todos los resultados obtenidos para
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Inversión
Definición
Dada una Estructura MOS polarizada, para
, donde es la Tensión umbral. La concentración de electrones en la interfaz / supera a la concentración de átomos aceptores por lo que se produce la inversión del material
La concentración de electrones en la interfaz
Link to original/ está modulada por . El Campo eléctrico controla la densidad de la carga móvil. Esta es la esencia del MOSFET.
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