Definición
Dada una Estructura MOS polarizada:
- Para
la fuente mueve huecos desde el sustrato hacia el gate, entonces la región de vaciamiento crece. - Para
la fuente mueve huecos desde el gate hacia el sustrato entonces la región de vaciamiento se contrae.
En el régimen de vaciamiento son validos todos los resultados obtenidos para
Concentraciones de los portadores
Densidad de carga espacial
Campo eléctrico
Función potencial
Ahora la caída de potencial a lo largo de la región SCR del Semiconductor
La caída de tensión a lo largo del oxido
donde
Límites de la región de carga espacial
Con esta tensión aplicada, se modifica el ancho de la zona de vaciamiento y esta dada por