Definición
La estructura MOS es muy similar a un Capacitor de placas planas paralelas, donde una de las placas se constituye con un Semiconductor en lugar de un metal.
En acumulación
Con
Transclude of Acumulación-de-la-estructura-Metal-Óxido-Semiconductor-(MOS)#densidad-de-carga-eléctrica-carga-espacial
Toda la carga se encuentra en la interfaz con el aislante, y el potencial eléctrico se aplica al aislante
La carga por unidad de área en la compuerta es
donde
En vaciamiento
Con
Transclude of Vaciamiento-de-la-estructura-Metal-Óxido-Semiconductor-(MOS)#densidad-de-carga-eléctrica-carga-espacial
La carga se distribuye a lo largo de la SCR. La extensión de la SCR depende de
donde
donde
En vaciamiento, la capacidad disminuye a medida que aumenta la Tensión aplicada.
En inversión
Con
Transclude of Inversión-de-la-estructura-Metal-Óxido-Semiconductor-(MOS)#densidad-de-carga-eléctrica-carga-espacial
La carga en la SCR se mantiene fija, la extensión de la SCR llega a un valor máximo.
La variación de carga se produce en la capa de inversión, en la interfaz con el aislante.
donde