Definición
El Transistor bipolar de juntura es la superposición de tres regiones con dopajes contrarios, formando dos junturas PN. Estas tienen que estar suficientemente juntas como para que los portadores minoritarios interactúen (pueden difundirse rápido sin recombinarse en la base). También tiene que estar suficientemente separados como para que las regiones de deserción (SCR) no se solapen (punch-through).
Al intercambiar el tipo de dopaje, pueden obtenerse dos combinaciones distintas
NPN
Donde tenemos, por construcción
PNP
Donde tenemos, por construcción
Con una estructura
Modos de operación
Independientemente de si el TBJ es NPN o PNP, tiene 4 modos de operación. Tomaremos como referencia el NPN, pero se aplica de la misma forma para el PNP