Apuntes
Física de semiconductores (31)
- Velocidad de arrastre
- Sistema aislado
- Semiconductor
- Semiconductor intrínseco
- Semiconductor extrínseco
- Semiconductor dopado no uniformemente
- Red del diamante
- Relación de Einstein
- Relación de Boltzmann
- Recombinación
- Movimiento térmico de portadores
- Portador de carga
- Movimiento Browniano
- Potencial de built-in
- Movilidad
- Modelo de enlace de Silicio
- Impureza donora
- Ley de acción de masas
- Impureza aceptora
- Generación
- Flujo de difusión
- Hueco
- Equilibrio térmico en un semiconductor
- Densidad volumétrica de carga eléctrica
- Dopaje
- Electrón
- Densidad de corriente eléctrica
- Corriente de difusión
- Corriente de arrastre
- Coeficiente de difusión
- Aproximación de cuasi-neutralidad
Juntura PN (8)
- Juntura PN en equilibrio térmico
- Juntura PN
- Tensión de contacto
- Juntura PN con polarización
- Capacidad de juntura
- Convención de signos para la tensión de polarización
- Condición de borde en una juntura PN
- Aproximación de vaciamiento
Diodo de Juntura PN (12)
- Tiempo de tránsito
- Modelo de pequeña señal para diodo
- Ruptura inversa
- Hipótesis de bajo nivel de inyección
- Diodo
- Diodo Zener
- Capacidad de difusión
- Corriente del Diodo
- Diodo de Juntura PN
- Conductancia dinámica
- Coeficiente de emisión o Factor de idealidad
- Aproximación de diodo corto
Transistor bipolar de juntura (18)
- Transistor
- Transistor bipolar de juntura
- Modo activo inverso del transistor bipolar de juntura
- Transconductancia para transistor bipolar de juntura
- Modo activo directo del transistor bipolar de juntura
- Saturación del transistor bipolar de juntura
- Modelo de Ebers-Moll
- Modelo de pequeña señal del transistor bipolar de juntura
- Ganancia de corriente en modo activo directo (MAD)
- Ganancia de corriente en modo activo inverso (MAI)
- Corte del transistor bipolar de juntura
- Ganancia de corriente de pequeña señal para el transistor bipolar de juntura
- Conductancia de realimentación
- Efecto Early
- Capacidad de realimentación
- Capacidad de entrada
- Conductancia de colector
- Conductancia de base
Juntura MOS (10)
- Vaciamiento de la estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
- Tensión de Flatband
- Tensión umbral
- Inversión de la estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
- Estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
- Estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS) con polarización
- Capacidad de la estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
- Capacidad de óxido
- Acumulación de la estructura Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
- Body factor coefficient
Transistor MOSFET (11)
- Triodo del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Transconductancia para transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Saturación del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Transconductancia del backgate
- Efecto de modulación del largo del canal
- Modelo de pequeña señal para transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Corte del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Conductancia del drain
- Capacidad de overlap
- Capacidad de Gate contra canal de inversión
Amplificador emisor y source común (12)
- Fuentes y sumideros de corriente
- Distorsión por tríodo en un Amplificador source común
- Fuente de corriente
- Distorsión por corte en un Amplificador source común
- Distorsión por alinealidad en un Amplificador source común
- Distorsión por corte en un Amplificador emisor común
- Distorsión por saturación
- Distorsión por alinealidad en un Amplificador emisor común
- Amplificador Source Común con un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Copia de corriente espejo simple
- Amplificador Emisor Común con un transistor bipolar de juntura
- Amplificador de tensión
Dispositivos de potencia (8)
- Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de potencia
- Transistor de potencia
- Tiristor
- Elemento encapsulado
- Modelo térmico equivalente
- TBJ de potencia
- Diodo de potencia
- Electrónica de potencia